| 品牌 | PLUTOVAC | 顏色 | 白色 |
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| 類別 | CCP刻蝕 | 電源 | 220V |
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CCP等離子刻蝕機(jī)(Plasma Etcher)是一種常用于微納米加工領(lǐng)域的設(shè)備，用于對(duì)半導(dǎo)體器件、光學(xué)元件、生物芯片等材料進(jìn)行精細(xì)加工和圖案定義。其原理基于等離子體技術(shù)，通過(guò)將氣體放電產(chǎn)生等離子體，利用等離子體中的離子和自由基對(duì)材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)和物理刻蝕。工作原理：
1.將氣體(如氟化氣體)引入反應(yīng)室，通過(guò)射頻(RF)功率源或微波源等方式對(duì)氣體進(jìn)行放電。放電過(guò)程中產(chǎn)生的電場(chǎng)和能量激發(fā)氣體分子，形成等離子體。
2.氣體分子被激發(fā)成離子、電子和自由基等活性物種。這些活性物種對(duì)材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，如氟化、氧化、硅化等，從而改變表面化學(xué)性質(zhì)。
3.離子和自由基對(duì)材料表面施加能量，導(dǎo)致材料表面原子或分子的脫除。這種物理刻蝕過(guò)程使材料表面逐漸被剝離，實(shí)現(xiàn)對(duì)材料的精細(xì)加工和圖案定義。
4.通過(guò)控制氣體種類、放電功率、反應(yīng)室壓力等參數(shù)，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)不同材料的選擇性刻蝕。例如，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)硅、氮化硅、氧化硅等材料的選擇性刻蝕。
5.通常還配備真空系統(tǒng)、溫度控制系統(tǒng)、氣體流控制系統(tǒng)等輔助功能，以確保刻蝕過(guò)程的穩(wěn)定性和可控性。
CCP等離子刻蝕機(jī)WINETCH是面向科研及企業(yè)研發(fā)客戶使用需求設(shè)計(jì)的高性價(jià)比CCP等離子體系統(tǒng)。作為一個(gè)多功能系統(tǒng)，它通過(guò)優(yōu)化的系統(tǒng)設(shè)計(jì)與靈活的配置方案，獲得高性能CCP刻蝕工藝。該設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊占地面積小，業(yè)的機(jī)械設(shè)計(jì)與優(yōu)化的自動(dòng)化操作軟件使該設(shè)備操作簡(jiǎn)便、安全，且工藝穩(wěn)定重復(fù)性佳。
CCP刻蝕是一種常用的微納加工技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件制造、光學(xué)器件制造，生物芯片制造等域。其原理是利用高頻交變電場(chǎng)產(chǎn)生等離子體，在等離子體的作用下將材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)和物理碰撞，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)材料的刻蝕。
CCP等離子刻蝕機(jī)WINETCH刻蝕系統(tǒng)通過(guò)電容耦合(CCP)方式產(chǎn)生高密度等離子體，按掩膜(例如光刻膠掩膜)圖形、實(shí)現(xiàn)對(duì)介質(zhì)材料(例如氧化硅SiO2、氮化硅SiNx等)的選擇性刻蝕。
CCP系統(tǒng)主要由以下幾部分組成：反應(yīng)腔室、下電 、噴淋頭(上電)、射頻電源、真空系統(tǒng)、預(yù)真空室、氣路系統(tǒng)、控制系統(tǒng)與軟件、配套附件等。
WINETCH等離子刻蝕機(jī)產(chǎn)品特點(diǎn)：
-刻蝕形貌好、工藝性能*
-高選擇比、高刻蝕速率
-低擁有成本和消耗成本
WINETCH等離子刻蝕機(jī)技術(shù)參數(shù)：
晶圓尺寸：6/8寸兼容
適用工藝：等離子體刻蝕
適用材料：SiO2，Si3N4，etc.適用域:化合物半導(dǎo)體、MEMS、功率器件、科研等域
產(chǎn)品型號(hào)：WINETCH
公司地址：上海市康橋東路1369號(hào)C棟220
公司郵箱：1399511421@qq.com
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